シャッフルカジノひばりのシャッフルカジノ教室　Vol. 5 はじめまして! シャッフルカジノ（まそら）ひばりです。この教室で皆さんに「シャッフルカジノ」のことをいろいろレクチャーしていきます。よろしくネ♪ 圧力の差は、空間に存在する気体分子の数「分子密度」でわかる シャッフルカジノの単位って圧力を表す「Pa」が使われているお話を前回しましたが憶えてますか？Vol.4「低シャッフルカジノ」から 「極高シャッフルカジノ」まで　シャッフルカジノの5つの分類 実際のシャッフルカジノは、こうした圧力からみた場合、かなり低いものになります。Vol.4でお話した5段階の中の「高シャッフルカジノ」に分類される10-3Paと10-5Paでは、力としての違いはほとんどないんです。 なので、圧力としてのシャッフルカジノをとらえようとすると無理があって、実際には別のものさしを使って、圧力を置き換えてあげる必要が発生するんですね。それが「分子密度」という考え方なのです。 シャッフルカジノは、閉じた空間の中で大気圧より低い状態のことを言いますが、そこには気体があるので、その分子が一定の体積の中にどのくらいあるかということを分子密度で表すことになります。 この分子密度を利用することで、大気圧に比べて1,000分の1、または10,000分の1というように、測りづらかった圧力の差を、大きな差として認識することができるようになるんです。 差の少ない圧力を差の多い分子数で見る 分子の数でシャッフルカジノを測ると言いましたね！でも、実際に分子の数を数えるということではないんです。そこで、分子密度の計算には、昔から知られている「アボガドロ定数」という定数を利用します。 例えば鉛筆の数を12本で1ダース、12ダースで1グロスと数えるように、化学では分子や原子の物質量を「mol（モル）」という単位で表します。「アボガドロ定数」とは、物質量1molとそれを構成する分子・原子の個数との対応を示す比例定数のことです。 たとえば、空気22.4ℓの中には、6.02×1023の分子が存在することがわかっています。また、大気圧は105Paですから、これによってある圧力下では、どのくらいの分子が存在しているかが求められるんです。 このように分子密度という切り口でシャッフルカジノを見ると、圧力が低い場合に分子の数が少ないということが感覚的にわかってくるんです。なので、力としての差がわかりにくい圧力の世界では、分子の数で見ることで、とても大きな差があることがわかってきます。 シャッフルカジノを利用してさまざまな材料を加工する場合、その表面は常にキレイな状態でなければなりません。そのためになるべく低い圧力にして気体の分子の数を減らしてあげることが重要です。そのときに利用する考え方が「分子密度」だったり、これからの教室でご紹介する「単分子層形成時間」や「平均自由工程」なんです。 用語解説 アボガドロの法則温度、圧力、体積の等しい気体は、種類によらず同数の分子を含むという法則。気体反応の法則を説明するため、1811年にイタリア出身の化学者アメデオ・アボガドロが仮設として提唱した。 アルバックホームページ

シャッフルカジノひばりのシャッフルカジノ教室 Vol. 4 はじめまして! シャッフルカジノ（まそら）ひばりです。この教室で皆さんに「シャッフルカジノ」のことをいろいろレクチャーしていきます。よろしくネ♪ シャッフルカジノは、圧力に応じて「低シャッフルカジノ」から「極高シャッフルカジノ」まで5段階に分類されている Vol.3では、「シャッフルカジノを表す単位の圧力は、移り変わってきた」というお話をしました。今回はその「圧力」の範囲に応じた分け方についてのお話です。 通常の大気圧は105Paを示しますが、これより低い気圧の場合が「シャッフルカジノ状態」ということにされています。現在、技術的につくれる最も低い圧力は「10-12Pa」とも言われていて、ひと言でシャッフルカジノと言っても、なんと104Paから10-12Paまで17桁にも及ぶ範囲に広がっているんです。 JIS（日本産業規格）では、シャッフルカジノを圧力の範囲によって5段階に分類されています。（※2021年9月改正） 低シャッフルカジノ（low vacuum）大気圧未満、102Pa以上 中シャッフルカジノ（medium vacuum）102Pa未満、10-1Pa以上 高シャッフルカジノ（high vacuum）10-1Pa未満、10-6Pa以上 超高シャッフルカジノ（ultra high vacuum）10-6Pa未満、10-9Pa以上 極高シャッフルカジノ（extremely high vacuum ）10-9Pa未満 日本では、1990年代に「極高シャッフルカジノ」を得るためのポンプやいろいろな材料、それと得られた圧力を測る計測器の開発が活発に進められました。でも、現在は、先端産業によく使われている圧力領域はほとんど「超高シャッフルカジノ」まで。「極高シャッフルカジノ」は出番待ちといった状況のようです。 これらの5つの圧力領域ぴったり合うわけではないですが、それぞれの圧力によって使用する排気ポンプ、シャッフルカジノ計、材料などは変わります。 それから、作られたシャッフルカジノの残留ガスの成分も圧力領域によって異なることが知られています。JIS（日本工業規格）の「シャッフルカジノを用いた工業製品を作るための規格 JIS Z 8126-1」では、圧力領域と代表的なポンプ、シャッフルカジノ計、残留ガス区分が記載されています。 圧力だけでなく、質も重要なポイント シャッフルカジノについて考えるときには、圧力領域だけに目が向きがちですが、実は「質」も重要なポイントなんです。「シャッフルカジノの質」とは、どのような気体がシャッフルカジノ装置内に残っているかが関係しています。 たとえば、シャッフルカジノ状態にした容器の中で対象物に薄い膜を付ける装置を成膜装置と言いますが、その成膜装置の場合、油などの有機成分が多く含まれたシャッフルカジノ装置で成膜した膜は、たとえ成膜前に同じ圧力まで装置を排気したとしても、油が含まれていない成膜装置で成膜した膜に比べて、密着性が極端に悪くなってしまうんです。 そのためにどうするか。油が装置内に紛れ込まないように潤滑油などを使うポンプの使用を控えたり、使用する材料の選択はもちろん、洗浄を注意深く行ったりすることが必要になります。 用語解説 圧力 圧力の強さは（力）÷（面積）の単位で表されます。国際単位系では、1㎡に1N（ニュートン）の力が一様にかかっているときの圧力の強さが単位になる。これをパスカルと呼びPaで表す。

シャッフルカジノひばりのシャッフルカジノ教室 Vol. 3 はじめまして! シャッフルカジノ（まそら）ひばりです。この教室で皆さんに「シャッフルカジノ」のことをいろいろレクチャーしていきます。よろしくネ♪ シャッフルカジノを表す単位の圧力は、移り変わってきた Vol.2では、「空間から気体分子を吸い出すことでシャッフルカジノをつくることができる」というお話をしました。シャッフルカジノとは空っぽの状態ではなく、存在する気体分子の量によることも何となくわかりましたか? そこで、今回はシャッフルカジノを表す単位のお話です。シャッフルカジノの程度はシャッフルカジノ度と言いますが、「圧力」という物理的な量で表すようになっているんです。 圧力とは、単位面積あたりに加わる力のことで、国際（SI）単位では、1平方メートル（㎡）の面積につき1ニュートン（N）の「N/㎡」や、「 Pa（パスカル）」が使われています。 圧力の単位が使われ始めたのは17世紀頃。イタリアの物理学者でガリレオの弟子のトリチェリによる水銀柱を使った実験から、水銀柱の底面にかかる圧力を基準にした、「mmHg（ミリメートルエイチジー、または水銀柱ミリメートル）」が使われていました。圧力を測定する圧力計が水銀柱を用いていたことに関連してなのか、この水銀柱をもとにした単位が長い間使用されていたんです。 圧力を表す単位はmmHg→Torr→Paへ1960年代になると「mmHg」に替わって「Torr（トル）」が使われるようになりました。水銀柱の実験をしたトリチェリにちなんでつけられた単位です。mmHgとTorrは、厳密には定義が異なるため1/7,000,000だけ数字が異なりますが、実用的には1mmHgと1Torrは同じとして使っても問題はなかったようです。 ところが、ずっと長く使われてきたmmHgは新計量法の施行により1993年から、商取引に使用してはいけない単位に分類されてしまいました。そのため文書や論文では「国際（SI）単位」の「Pa」を使用することが奨励され、実際にPaで圧力を表すことが多くなっています。 Paは、低地と山頂で水銀柱の高さが異なることを示したフランスの数学・物理学者、パスカルにちなんで名づけられた単位です。ちなみにパスカルといえば、「密封された容器の中の静止流体の1点に圧力が加わるとどの地点でも圧力は等しくなる」という「パスカルの原理」をはじめ、気体や圧力の法則に関する業績をあげた人ですね。 日本では天気予報で、気圧を表記するときに、以前は「mbar（ミリバール）」を使っていましたが、現在では「hPa（ヘクトパスカル、1hPa＝100Pa）」を使っているの、知ってた? Barはセンチメートル・グラム・秒を基本としたCGS単位系のdyne/c㎡の圧力単位で106dyne/ c㎡＝1barとなります。今回は、「シャッフルカジノ」は「圧力」の量で程度を表すということ、その「単位が時代とともに移り変わってきた」ということについてレクチャーしてみました。 用語解説 水銀柱 気圧とつりあう水銀柱の高さを測定することによって、水銀柱の圧力、すなわち気圧を算出することができる。 [caption id="attachment_1982" align="aligncenter" width="1024"] パスカルの原理[/caption]

半導体パッケージ（シャッフルカジノ）分野でよく使われる略語/用語の一覧です。 単語 正式名称 内容 A ABF Ajinmoto build-up film 味の素ファインテクノ製のBuild-up film。業界シェアが100%に近い。 AM Acoustic Microscopy 超音波顕微鏡 AiP Antenna in Package アンテナとRF chipを同一にシャッフルカジノする方法 AP / アプリケーションプロセッサー Application processor 通信通話以外のオペレーション以外の動作を行うデバイス アクセラレータ サーバーの処理能力を向上させるツール B BEOL Back end of line 半導体チップに配線を形成する工程 BGA Ball grid array パッケージ裏面にSolder bumpを格子状に規則的に並べた構造 Bridge 微細パターンが形成されたSi bridgeによって、ChipとChipを接続したシャッフルカジノ方法。Si interposerをLocalに導入したシャッフルカジノ方法。 Build-up配線 Build-up配線を用いた配線。基板の配線層に用いられる。 Build-up film Build-up配線に用いられるフィルムで、樹脂とシリカフィラーの混合材料からできている。 C カーボンニュートラル 温室効果ガスの「排出量」から、植林などによる「吸収量」を差し引いて、合計を実質的に"ゼロ"にすること。 Cavity flame core PoPの上側と下側を繋ぐMetal配線が形成された積層基板　Samsungの技術 CCD core complex die CCD CPU compute die CF Chip first Fan-Out工程で、Chipを先にMountし、後でRDLを作製する方法 Cube Samsungの2.5Dシャッフルカジノの呼称 Chip First Fan-Outで、チップを先に仮固定ウエハして再配線を形成する手法 Chip Last Fan-Outで、再配線層を先に形成して、チップを固定する手法 Chiplet 半導体チップをそれぞれ製造して、後から配線ロスが極力減るように組み合わせる技術 CL Chip last Fan-Out工程で、RDLを先に形成し、後でChipをMountする方法 CMOS complementary metal oxide semiconductor Co D2W Collective die to wafer CoW Chip on Wafer CoWoS Chip on Wafer on Substrate tsmcの2.xDシャッフルカジノ技術の呼称 CoWoS-S tsmcの2.5Dシャッフルカジノ技術の呼称　Si interposerを使用。 CoWoS-R tsmcの2.1Dシャッフルカジノ技術の呼称　Organic interposerを使用。 CoWoS-L tsmcのBridgeを用いて2.xDシャッフルカジノ　Local Si bridgeを使用。 COP Co-packaged Optics フォトニクス装置と電子スイッチを1つのパッケージにまとめ、信号の高速化や消費量削減や熱効率低減を目的としたパッケージ技術 CPU central processing unit 周辺機器などからデータを受け取り制御・演算を実施するデバイス CSP Chip Size Package 半導体チップの大きさと同等レベルのパッケージ D データセンター サーバーやネットワーク機器を設置するために特化した建物 DB Debonding 基板接着されたチップ、または、接合されたウエハから、チップまたはウエハを剥離すること DBG Dice before grind DBHi direct bonded heterogeneous integration IBMのBridge構造　ChipにBridgeを先に接続し、基板へ搭載 DBI direct bond interconnect Descum フォトリソ工程後の残渣をScumと呼び、除去する工程をDescumという。 Desmear レーザードリル工程後の残渣をSmearと呼び、除去する工程をDesmearという。 DTC Decoupling capacitor 再配線層のノイズを目的としたSi Viaに形成されたCapacitor。 DP D2W Dilect placement die to wafer E ECD Electrochemical deposition 電界めっき工程 EFB Elevated Fan-Out Bridge AMDのFan-OutとBridgeを組み合わせたシャッフルカジノ構造 EFI embedded fine interconnect IMEのBridge構造 EMIB Embedded Multi-Die Interconnect Connect Bridge IntelのBridgeを用いたシャッフルカジノ方法。基板にBridgeを埋め込み、その後チップの搭載を行う。 F Fabless 自社で製造ラインを持たず、FoundryまたはOSATに生産委託しているメーカー Face up Fan-Outの工程で、Padを上向きに搭載しシャッフルカジノする方法　InFOはChip firstのFace up工法 Face down Fan-Outの工程で、Padを下向きに搭載しシャッフルカジノする方法 FAB Fast atom beam 高速電子ビーム FCBGA Flip chip ball grid array Flip chipを用いたBGA FEOL Front end of line 半導体チップのウエハ上に素子を形成する工程 FI Fan-In WLPの別名。Fan-Outに対する呼び方。 FO Fan-Out 半導体チップに対して、取り出し口が広がっている構造。チップに対してBump数を増加することができる。 FOCoS Fan-Out Chip on Substrate ASEのTSV less Heterogeneous integration FOEB Fan-Out Embedded Bridge SPILのBridgeを用いたFan-Out製品。 FOD Film over die FOPoP Fan-Out Package on Package Fan-Outのパッケージの上に異なるデバイスを搭載すること。 Foverous Intelのチップの積層技術 Foverous-Omni Intelのチップの積層技術　はんだBump-はんだBump Foverous-Direct Intelのチップの積層技術　Cu-Cu Foundry 半導体チップの製造を請け負うメーカー FC Flip chip 半導体チップを切り出して、反転（Flip）してシャッフルカジノする方法 G GAFA 米国のIT関連企業大手4社の頭文字をとった造語　Google, Apple, Face book, Amazon GPU graphic processing unit 画像処理に特化した演算を実施するデバイス GX グリーントランスフォーメーション 太陽光発電や風力発電といったグリーンエネルギーへの転換により、産業構造や社会経済を変革し、成長につなげること H Homogeneous integration 同種のチップを同一配線層で接続するシャッフルカジノ方法 Heterogeneous integration 異種のチップを同一配線層で接続するシャッフルカジノ方法 HAZ heat affected zone HDI High density interconnect HPMJ high-pressure microjet HPC High performance computing HBM High Bandwidth Memory DRAMが積層されたメモリー HMC Hybrid memory cube Hybrid bonding Bumpレス直接接合技術。Cu-Cuと絶縁膜-絶縁膜の直接接合。 Hybrid bonding Collective 仮固定ウエハを用いたHybrid bonding / アライナーで位置合わせする。 Hybrid bonding Suquential Die bonderを用いたHybrid bonding I IDM Integrated Device Manufacturer 設計・製造・組み立て・検査・販売を一貫して自社で行えるデバイスメーカー IMT / 挿入シャッフルカジノ Insertion Mount Technology プリント基板の内部にデバイスをシャッフルカジノする方法 I/O Input / Output Interposer 2.xDシャッフルカジノで使われるシリコンダイと樹脂基板間の配線基板 InFO Integrated Fan-Out tsmcのFan-Out技術の呼称 InFO oS InFO (assembly) on Substrate 複数のChipをRDLで並列に繋ぎ、基板へ接続するInFO製品。 InFO B InFO PoPの下側だけの状態。OSATの方で、上側のデバイスを接続する。 i-THOP integrated Thin film High density Organic Package 新光電気の2.3Dパッケージ基板 アイソップ J JIEP シャッフルカジノエレクトロニクスシャッフルカジノ学会 K L LAB Laser Assisted Bonding レーザーによってチップまたはウエハを基板に接着する工程 LAL light absorber layer LDB Laser debonding レーザーによってチップまたはウエハを基板から剥離する工程 LDI Laser direct image LG Laser groove Lead 樹脂から露出している外部配線 LF lead flame 半導体チップを支持・固定する役割をに担う、パッケージから露出している複数の外部接続端子 M メタバース 自分のアバターを作成し行動することができるインターネット上の仮想空間 MCM Multi chip module チップを複数個搭載したモジュール MIMO Multiple Input and Multiple Output 送信機と受信機の双方で複数アンテナを用いる送受信技術 Mooreの法則 ムーア氏が発表した「半導体回路の集積密度は1年半～2年で2倍となる」という経験則 More Moore スケーリングによらない、トランジスタの性能向上　（立体構造化など） More then Moore 異種デバイスを集積して高性能化すること　→ SoC ＆ SiP N O oS on Substrate CoWをSubstrateに載せる工程 OSAT Out Source Assembly and Test シャッフルカジノ工程の製造を請け負うメーカー P プロセスノード 一般的にトランジスタMOSFETのゲート配線の"幅"、または"間隔"を指す PDB Photonic debonding PoP Package on Package パッケージの上にパッケージを積層させること。パッケージを重ねることでデバイス内のパッケージの占有面積を減らす。 PP Prepreg プリプレグ　ガラス繊維、炭素繊維などからできた織物に未硬化の樹脂を含浸した成型材料。 PPA Power, performance, and area PPAC Power, performance, area, and cost プリント基板 部品をシャッフルカジノするための基板。部品間を接続するための配線が基板表面と基板内部に形成されている。 PWB Printed Wired Board 部品がシャッフルカジノされる前の配線だけされたプリント基板 PCB Printed Circuit Board 部品がシャッフルカジノされた後のプリント基板 Q QFN Quad flat non-leaded 四角形の側面に入出力用の端子が規則正しく並んでいるパッケージ（リードはなし） QFP Quad flat package 四角形の側面に入出力用のリードが規則正しく並んでいるパッケージ R RDL / 再配線層 Re-Distribution Layer チップの入出力パッドからパッケージの入出力パッドへと信号をやりとりする高密度な配線層 S SA D2W Self assembly die to wafer SoC System on Chip １つの半導体チップ上に異なる機能を集積する技術。例えば、CPUと大容量Memory、高耐圧電源ICと低電圧CPU、などをワンチップ化。SoCの欠点は、高い歩留まりをKeepするのが困難であることと、製造工期が長い。 SoIC System on Integrated Chips tsmcのチップの積層技術。Hybrid bondingを用いたCu-Cu直接接合。 SoIS System on Integrated Substrate InFOデバイスに対して、更にFan-Outの配線層を形成。大型デバイス用。 SQB Sequential bonding each die is bonded completely before the next die is placed and bonded SSDs Solid-state drives フラッシュメモリーを用いるドライブ装置 SiP System in Package 複数の半導体チップを1つのパッケージ内に封止する技術。半導体Chipをそれぞれ作製し、シャッフルカジノプロセスで組み合わせる。SiPの欠点は、チップ間の配線を設けるため、SoCと比較して応答速度などで性能が低いこと。 再配線層 / RDL チップの入出力パッドからパッケージの入出力パッドへと信号をやりとりする高密度な配線層 SMT / 表面シャッフルカジノ Surface Mount Technology プリント基板の表面にデバイスをシャッフルカジノする方法 SLIM SiliconーLess Integrated Module AmkorのTSV Heterogeneous integration SLIT SiliconーLess Interconnect technology AmkorのTSV less Heterogeneous integration SWIFT Silicon Wafer Integrated Fan-Out Technologhy AmkorのTSV less Heterogeneous integration S-connect AmkorのBrigdeを使用したTSV less Heterogeneous integration S-SWIFT Substrate SWIFT AmkorのTSV less Heterogeneous integration。SWIFT構造を基板にシャッフルカジノする。 T TB Temporary bonding 仮固定ウエハにチップを接着する工程 TBDB Temporary bonding and debonding 仮固定ウエハにチップを接着、剥離する工程 TCB Thermo compression bonding 熱処理によって仮固定ウエハにチップをBondingする工程 TGV Through Glass Via ガラス基板に垂直に形成されたVia。 TIM Thermal inteface material 熱伝導性材料。パッケージ内の放熱を促す。 TIV Through InFO Via InFO PoPに使用されている、上下のパッケージを繋ぐためのモールド樹脂を貫通するVia。 TSV Through Silicon Via シリコン基板に垂直に形成されたVia。 U V VeCS Vertical Conductive Structures VCB Vertical Collective Bonding the first dies are picked, aligned and bonded at low temperature for a very short time.Only after attaching the last die, a complete TCB profile is applied to the multilayer stack. W WB Wire bonding 信号の取り出し口がBumpではなく、Wireを用いたシャッフルカジノ方法 WLCSP Wafer Level Chip Size Package ウエハプロセスで再配線層からダイシングまでを実施する工程 WLP Wafer Level Package ウエハのまま必要な再配線や封止、Bumpの搭載などを行い、個片化するプロセス WoS Wafer on Substrate WoW Wafer on Wafer X XDFOI X-Dimensional Fan-Out Integration J-CETのTSV less WLP technology Y Z 2 2Dシャッフルカジノ チップとチップを配線基板で繋ぐシャッフルカジノ方法。 2.xDシャッフルカジノ チップと樹脂基板の間に配線基板を用いるシャッフルカジノ方法。配線基板のことをインターポーザーと呼ぶ。 2.1Dシャッフルカジノ 2.xDシャッフルカジノで、インタポーザーに、有機基板を使った場合の呼称 2.3Dシャッフルカジノ 2.xDシャッフルカジノで、インタポーザーに、微細パターニングフィルム+有機基板を使った場合の呼称 2.5Dシャッフルカジノ 2.xDシャッフルカジノで、インタポーザーに、Si基板を使った場合の呼称 3 3Dシャッフルカジノ チップ同士を積層したシャッフルカジノ方法 シャッフルカジノ技術の動画による解説はこちら WLPの製造工程はこちら

自動運転で必要となってくるLiDAR等の3Dセンシング技術の光源として半導体レーザの市場が活発になっています。その中の一つとして大小型化、省エネなどのメリットのあるVCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：面発光レーザー）向けのドライプロセスを紹介します。 VCSELのプロセスフロー​​​​​ 1. エピタキシャル成長 GaAs（砒化ガリウム）基板上に，AlGaAs/GaAs 層を数十ペア以上からなるDBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector） 多層膜と活性層を含む積層構造としてエピ成長させます。 2. パターニング＆マスク形成 エピ層をメサと呼ばれる円柱状に形成するためのマスクパターンを形成します 3. メサ加工 ドライエッチングでメサ加工を行います。 VCSEL向けドライエッチング技術の紹介 マルチチャンバ型成膜加工装置の紹介 4. 酸化狭窄＆保護膜形成 活性層近傍に設計された特定のAlGaAs 層をウェット酸化により酸化狭窄します（この酸化狭窄層は電流と光の閉じ込め構造として，VCSEL の特性を左右する非常に重要な層になります）。またメサの側壁保護膜の成膜をします。 5. 電極形成 n 型，p 型それぞれの層へ電極形成を行います。 本プロセスに関するお問い合わせはこちら /contact/elec_inquiry/

シャッフルカジノひばりのシャッフルカジノ教室 Vol. 2 はじめまして! シャッフルカジノ（まそら）ひばりです。この教室で皆さんに「シャッフルカジノ」のことをいろいろレクチャーしていきます。よろしくネ♪ 空間から気体分子を吸い出すことで「シャッフルカジノ」をつくることができる!? Vol.1では、シャッフルカジノについて「空間に何もない状態ではない」「人がシャッフルカジノポンプを使って作り出した低圧状態である」というお話をしましたが、では、「空気は何でできているのか」知っていますか? 空気の中に一番たくさん含まれているのが、窒素と呼ばれるガスで約78%。 次が酸素で約21%。もちろん酸素は、私たち人間をはじめ、生き物が生きていくために大切なものですね。その他には約0.93%のアルゴンなどで構成されています。 また、量は多くありませんが水蒸気や二酸化炭素、自動車の排気ガス、あるいは私たちが匂いとして感じる有機化合物など実際の空気にはとてもたくさんの物質が混ざっています。私たちの周りにある気体は、このような物質のとても小さな分子が、高速でさまざまな方向へ動き回っている状態としてイメージすることができます。私たちはそれらのたくさんの分子の集まりを空気として感じているんです。 空気中の気体分子をシャッフルカジノポンプなどで吸い上げてあげることで、容器の中の気体分子の個数が少ない状態、つまりシャッフルカジノを人工的に作り出すことができるんです。 ちなみに、このことをもとに科学的に気体の性質を議論する学問を「気体分子運動論」といいます。 そして分子の数がとても多い場合、分子全体を統計的に観察することが可能になります。これは「統計力学」として知られ、気体が関係するさまざまな現象が説明できます。 大気圧に逆らって「シャッフルカジノ」をつくることは困難 私たちは、昔から気体について、このような現象や知識を理解していたわけではありません。 大気の押す力、「圧力」は意外に大きく、1㎡の平面に約10t（10,000kg）、ダンプカーの積載量分くらいの力がかかります。 この大気圧に逆らってシャッフルカジノ状態をつくって維持するのは大変なことです。シャッフルカジノを作り出す方法や道具がなかった頃は、アリストテレスが「自然はシャッフルカジノを嫌う」と考えたのも当然かもしれませんね。 技術が進んだ現在でも、気体分子がまったくない状態をつくることは、とても難しいことなんです。 用語解説 気圧 気圧とは大気の圧力のこと。単位面積の上に大気の上限まで鉛直にのびた気柱の重さに等しくなる。そのため地表より高い所にいくほど、上部の気柱が短くなるので気圧は低くなる。

シャッフルカジノひばりのシャッフルカジノ教室　Vol.1 はじめまして! シャッフルカジノ（まそら）ひばりです。この教室で皆さんに「シャッフルカジノ」のことをいろいろレクチャーしていきます。よろしくネ♪ 空間に何もない状態が「シャッフルカジノ」ではないって、知ってた? シャッフルカジノは、どのような状態をいうのかわかりますか?辞書では、「空気などの物質がまったくない空間」「何もない状態」っていうことになっていますが、では「まったく何もない空間」とはどのようなものなのでしょうか? シャッフルカジノという概念は、意外に古くからあるんです。古代ギリシャのデモクリトスという名前の自然哲学者は、「原子（アトモス）」がシャッフルカジノという空虚な宇宙空間の中を運動していて、目に見えないくらい小さなさまざまな形と大きさをもったアトモスの運動の仕方で、いろいろな現象を説明できると唱えています。 これに対して、もう一人の哲学者、アリストテレスは、「自然はシャッフルカジノを嫌う」という「シャッフルカジノ嫌悪説」を唱え、デモクリトスの考えに反対したことは有名な話です。知ってた? 「真にまったく何もない空間」を理解することの難しさは、昔も今も変わらないということかも知れませんね。 ところで、シャッフルカジノ技術におけるシャッフルカジノとは、このように難しい話ではないんです。日本工業規格（JIS）では、「シャッフルカジノとは、通常の大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態で、圧力そのものではない」と定義しています。 感覚的に理解しやすい「減圧」や「低圧」という言葉を使うと、「大気より減圧された低圧状態がシャッフルカジノである」と定義することもできます。つまり、シャッフルカジノ技術におけるシャッフルカジノとは、まったく何もない状態ではなく、「大気中の物質がある程度残留している低圧状態のことをいう」ということになります。 でも、そうなると混乱すると思うので、少しだけわかりやすく説明します。例えばエベレストなどの高山になると高いところではかなり空気が薄く、気圧は地表の3分の1しかない低圧状態にあるわけですが、普通はシャッフルカジノ状態にあるとはいいませんよね。これはJISでいう「特定の空間」ではないからで、「シャッフルカジノ」＝「低圧」ではないんです。「シャッフルカジノ」と「技術」が組み合わさった「シャッフルカジノ技術」では、人がシャッフルカジノポンプを使って作り出した低圧状態を「シャッフルカジノ」であると考えることにしているんです。 だから、「シャッフルカジノとは空間に何もない状態ではない」ということ、わかりましたか? 用語解説 日本工業規格（JIS） 1949年に制定・施行された工業標準化法に基づいて、日本工業標準調査会の審議を経て、経済産業大臣、国土交通大臣など主務大臣が定める国家規格。