システムインシャッフルカジノ 出金SiP）とは複数の半導体チップを1つのパッケージ内に封止する技術ことです。半導体Chipをそれぞれ作製し、実装プロセスで組み合わせます。
対してシステムオンシャッフルカジノ 出金SoC）は１つの半導体チップ上に異なる機能を集積する技術です。例えば、CPUと大容量メモリ、高耐圧電源ICと低電圧CPU、などをワンチップ化する技術のことをいいます。
SiPは、チップ間の配線を設けるため、SoCと比較して応答速度などで性能が低いこと。SoCは、高い歩留まりをKeepするのが困難であることと、製造工期が長いなどそれぞれ違いがあります。
再配線層、Build up配線以外にも、SiP向けにプラズマ技術は応用されています。 この動画ではULVACが提供する表面改質処理といったアプリケーションを紹介します。
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Printed Circuit Board (PCB)とは絶縁体の内部、または、表面に金属配線が施された電子部品が取り付けらる基板のことです。シャッフルカジノ 出金王道製品と言えます。 アルバックは、PCB製品の微細化技術に一役買っています。 将来をターゲットに据えたドライ化技術について紹介します。
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最先端のシャッフルカジノ 出金製品には、プラズマ技術が既に使われています。アルバックではウェハー、パネル向けのプラズマアッシング装置を提供しています。これらのアッシング装置はバッチ式ではなくアッシングレートの面内分布を意識した枚葉式の装置です。
一般的にアッシングとは、フォトレジストをプラズマで分解し除去する工程です。アルバックでは実装の工程のアッシングは比較的簡単なエッチングをするという意味合いで使われています。
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シャッフルカジノ 出金トレンドと言えば、ファンアウト（Fan-out）。アルバックはファンアウトパッケージの量産化技術に貢献しています。 ここでは、プロセスフローとプラズマ技術についてご紹介します。
Key word
Fan-Out（FO) : チップに対して扇状に配線を広げた構造。
Package on Package (PoP) : パッケージを積層した構造。
Redistributed layer (RDL)、再配線層 : チップと外部取り出し部までの配線層
Descum : フォトリソグラフィー後の残渣を除去する工程
感光性樹脂 : 光を照射することで性質が変化する高分子材料の総称。
Polyimide : Imide結合を含む高分子化合物の総称。
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プラズマ発生方法は、沢山種類があります。その中で、アルバックはシャッフルカジノ 出金製品に適したプラズマ源を採用しています。主に下記の放電方式があります。
Surface Wave Plasma (SWP) : マイクロ波の表面波によって誘電体透過窓表面に表面波を生成。この表面波によって、透過窓付近にプラズマを発生する方法。
Capacitively Coupled Plasma (CCP) : 2枚の金属電極に片方に高周波電源が接続されており、 極板間の電場形成によってプラズマを発生する方法。
Dual frequency Capacitively Couple Plasma (2-Freq CCP) :２枚の電極基板それぞれに異なる高周波電源が接続されているCCP方式。
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半導体チップの微細化が難しくなっている中、デバイスの性能を高めるためにパッケージ技術が注目を集めています。異種デバイスを集積し、高性能化する技術を「More than Moore」といい複数の半導体パッケージを一つの半導体パッケージに封止する技術をシステムインパッケージといいます。
アルバックは半導体シャッフルカジノ 出金の量産化技術の開発に力を入れています。ここでは、シャッフルカジノ 出金向けプラズマ技術の背景をご紹介します。
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