VCSEL向け加工シャッフルカジノ 入金方法
VCSELプロセスで必要となるドライエッチングのシャッフルカジノ 入金方法を紹介します。
VCSEL Mesa加工
VCSEL に用いられているGaAs 等のⅢ-Ⅴ族化合物半導体のエッチングには塩素系ガスが使用され，AlGaAs/GaAs 多層膜には反応性主体の条件が用いられるため，シャッフルカジノ 入金方法やウェハ面内分布の制御が難しいです。さらに，化合物半導体のエッチングでは，プロセス条件だけではシャッフルカジノ 入金方法とウェハ面内分布制御の両立が困難です。
そこで、NE ドライエッチング装置では，アンテナ構造にISM（ICP with Static Magnetic field）方式を用いています。ISM 方式を用いたアンテナはプラズマ分布の最適化が可能であり，GaAs ウェハのエッチング面内分布で3% 以下の非常に均一な分布が得られます。実際のエピ構造によるシャッフルカジノ 入金方法分布も面内で均一なシャッフルカジノ 入金方法が得られています。
メサの深さ制御については，IEP（Interferometry End Point：光干渉による終点検知）システムを用いることで，高精度にエッチングの深さを制御可能です。本システムを使用して得られた干渉波形を示すDBR 層を含め積層構造がエッチングされている様子が把握でき，この波形を監視しながらDBR ペア数をカウントすることで，任意の深さでエッチングを停止することができます。