電子部品製造向け枚葉式複合モジュール型成膜加工装置 「uGmniシリーズ」の新エッチングモジュールを開発、販売開始

株式会社アルバックは、「uGmniシリーズ」の新エッチングモジュールを開発、販売を開始します。同装置は20年以上に渡り、約800モジュールの販売実績を持つ「NE」モジュールをリシャッフルカジノ ログインアルし、①プロセスパラメータとは別にエッチング面内分布を制御可能な新たなプラズマ源、②ガス流れ分布、排気特性を向上させた新たなチャンバ構造、③基板冷却効率を改善させた新たな電極構造を採用し、プロセスウィンドウを大幅に拡大させました。

これまでも「NE」モジュールは、

• GaAs、InP、GaN、SiC等の化合物半導体
• SAW/BAW、パワーデバイス等のメタル配線
• Piezo-MEMSのPZTやAlScN等の圧電膜

といったエッチング用途に多く利用いただいて来ました。昨今の5G・IoTを始めとするSmart ICTの波は、これらの電子デバイスが拡大することを意味し、基板の大口径化と大量生産が見込まれます。そこで、今回のリシャッフルカジノ ログインアルは長年蓄積されてきたプロセスデータの流用、応用を容易とし、歩留り向上を目的として開発されたモジュールです。

【新エッチングモジュールの特長】

① 新プラズマ源：ISM-duo搭載

従来のISM プラズマ源が持つ高密度プラズマの特徴に加え、ISM-duo プラズマ源はRFパワー分配ユニットを搭載し、内・外周のICPアンテナへ任意にRFパワーを分配することで、エッチング面内分布の制御が可能となりました。

② 等方・大排気チャンバ構造

ガス排気を等方化することで、プロセスガス流れの分布による偏芯を抑制。かつ排気口とTMP容量を拡大し、大流量プロセスに対応したガス排気特性により、プロセスウィンドウを拡大しました。　

③ 冷却効率改善基板電極

チラーからウェハまでの熱媒体流路・構造を見直し、高パワー領域でのウェハ温度上昇を抑制しました。

●構造比較概略図

●ISM-duoによるエッチング面内分布最適化例（プロセス条件同一下）

●大排気化によるP-Q特性比較と強デポプロセスにおける改善例

2021年12月15日(水)～17日(金)に開催されます「SEMICON JAPAN 2021」にも展示いたします。

以上

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