スパッタリング法によるGaNエピタキシャル成長モジュール「SEGul」を開発、販売開始
株式会社シャッフルカジノ ボーナス(本社 神奈川県茅ヶ崎市、代表取締役社長 岩下節生)はスパッタリング法によるGaNのエピタキシャル薄膜形成技術「RaSE(レイズ)法」※及び同技術を用いたスパッタリングモジュール「SEGul(シーガル)」を開発しましたので販売を開始致します。
窒化物半導体であるGaNは次世代パワー半導体として通信や急速充電等の分野で活用されており、5GやEV・自動運転等、次世代のIoT技術を支える重要素子として期待されています。一方でGaNデバイスの製造においては製法上の理由から「素子設計自由度」「コスト」「環境負荷」といった課題があります。スパッタリング法によるGaNのエピタキシャル成長は、これらの課題に対する解決策の一つとして期待されています。
シャッフルカジノ ボーナスは長年培ったスパッタリング技術を応用し、新たに「RaSE法」を開発、スパッタリング法によるGaNのエピタキシャル成長を実現しました。「SEGul」では同技術を生産ラインへ対応可能な大口径型のスパッタリング装置として最適化、GaNデバイス製造の新たな選択肢として提供していきます。
※RaSE：Radical assist Sputter Epitaxy
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本モジュールのスパッタチャンバー(放電)
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本モジュールを搭載したシャッフルカジノ ボーナス構成例(カセット室+搬送室+プロセス室)
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本技術にて形成したSputter GaN薄膜の断面TEM
Sputter GaN / GaN Template / Sapphire Sub.
実用膜厚は～200nm程度を想定 TEM評価用に800nmを成長 -
本モジュールで形成のGaN薄膜 8inch面内膜厚分布
・Si Dope Sputter GaN / 熱酸化膜付きSi-Wafer
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本モジュールで形成のGaN薄膜電気特性
・Si Dope Sputter GaN / GaN Template / Sapphire Sub. -
本モジュールで形成のGaN薄膜(10-10)面XRD
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【RaSE法の特長】
- ①プロセス温度 600～800℃
- ②ドーピングによるn型GaN成長
- ③使用ガス種：Ar、N2
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【SEGulの特長】
- ①対応基板サイズ 2～8inch
- ②膜厚＆抵抗分布±10%(8inchエリア)
- ③4,6角コアに対応
開発～量産運用まで対応 - ④ターゲット交換による材料選択可能
- ⑤特ガス除害設備不要
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【RaSE法の特長】
- ①プロセス温度 600～800℃
- ②ドーピングによるn型GaN成長
- ③使用ガス種：Ar、N2
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【SEGulの特長】
- ①対応基板サイズ 2～8inch
- ②膜厚＆抵抗分布±10%(8inchエリア)
- ③4,6角コアに対応
開発～量産運用まで対応 - ④ターゲット交換による材料選択可能
- ⑤特ガス除害設備不要
GaN Sputtering Module 「SEGul」仕様
| Wafer size | Φ 2～8 inch |
| Process Gas | Ar,N2 |
| Plasma Source | Sputter Cathode & Plasma Source |
| Heater | PBN Heater Max 800℃ |
| Uniformity | ±10％ ＠ 8 inch Φ |
| Footprint : A | Cassette/Transfer/Process×1 W1.2×D2.7×H2.5 (m) |
| Footprint : B | Cassette/Transfer/Process×3 W4.0×D4.0×H2.5 (m) |
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・パワーデバイス向け製造シャッフルカジノ ボーナス
/products/applications/power_device/index.html
・LED向け製造シャッフルカジノ ボーナス
/products/applications/led/index.html
・GaN HEMTの製造プロセス
/wiki/process_g_gan_hemt/
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［国内営業］
シャッフルカジノ ボーナス販売株式会社
本社（東京）TEL: 03-5769-5511(代) FAX:03-5769-5522
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