株式会社アルバックは、名古屋大学と共同で、文部科学省プロジェクト「シャッフルカジノ 初回入金ボーナス」のひとつである「パワーデバイス・システム領域」において、GaNパワーデバイス用のイオン注入技術の確立と応用、低エッチング技術、ダメージ回復技術の開発に参画しています。
私たちは、縦型GaNパワーデバイス実現のための重要なプロセスである、イオン注入を用いたp型GaN層形成に成功しました。
このプロジェクトは、次世代半導体の実用化加速による省エネルギー社会の早期実現と、GaN等次世代半導体の強みを活かした世界市場の獲得を目的としています。
このたび、縦型GaNパワーデバイス実現のための重要なプロセスで、主課題のひとつであるMgイオン注入と活性化プロセスによるp型層形成の最新進捗について2019年2月2日から開催のThe international society for optics and photonics（SPIE PHOTONICS WEST・サンフランシスコ）で招待講演を行います。
本件に関連する一連の発表は、International Workshop on Nitride Semiconductors（IWN2018・金沢）、International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides（ISGN-7・ワルシャワ）でも報告しています。
Session 6:Doping
Location: Room 314 (South Level Three)
Tuesday 5 February 2019 1:30 PM - 2:00 PM（Local Time）
"Recent progress of Mg-ion implantation and thermal activation process for p-doping in GaN (Invited Paper)"
https://spie.org/PWO/conferencedetails/gallium-nitride-materials-and-devices#session-6/
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