アルバック独自のガス中蒸発法により作製されたナノメタルシャッフルカジノ ログインは、ナノ粒子が溶剤中に凝集することなく安定に分散した新しいタイプの導電性シャッフルカジノ ログインです。シャッフルカジノ ログインジェット法により、ダイレクトに微細配線パターンの形成が可能です。
Auナノメタルシャッフルカジノ ログインは250°C焼成で導電性を発現します。
・Auナノメタルシャッフルカジノ ログイン"Au1T"(トルエン溶媒)
・Auナノメタルシャッフルカジノ ログイン"Au1Chb"(シクロヘキシルベンゼン溶媒)シャッフルカジノ ログインジェット対応品
Auナノメタルシャッフルカジノ ログイン中に分散するAuナノ粒子のTEM像
平均粒径約3.6nm
シャッフルカジノ ログイン粒度分布
シャッフルカジノ ログイン焼成温度と比抵抗値の関係
■Auナノメタルシャッフルカジノ ログイン膜の概観
品名 | Auナノメタルシャッフルカジノ ログイン | Agナノメタルシャッフルカジノ ログイン |
Agナノメタルシャッフルカジノ ログイン (低温焼成型) |
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型番 | Au1T | Au1Chb | Ag1T | Ag1TeH | L-Ag1T | L-Ag1TeH |
シャッフルカジノ ログインジェット対応品 | × | 〇 | × | 〇 | × | 〇 |
固形分(金属)濃度(wt%) | 30 | 50~60 | 30 | 50~60 | 30 | 50~60 |
溶媒 | トルエン | シクロヘキシルベンゼン | トルエン | テトラデカン | トルエン | テトラデカン |
平均粒子径(nm) | 3~8 | 3~8 | 3~8 | |||
粘度(mPa・s) | <5 | 5~15 | <5 | 5~15 | <5 | 5~15 |
焼成膜特性 | ||||||
焼成条件 | 250℃×60min (in Air) | 230℃×60min (in Air) | 150℃×60min (in Air) | |||
焼成後膜厚(µm) | <1 | <1 | <1 | |||
比抵抗値(µΩ・cm) | 約8 | 約20 | 約3 | 約10 | ||
対象基板 |
耐熱温度が焼成温度以上の基板をご使用ください (例:ポリイミド、ガラス、金属、セラミックスetc.) |
記載内容は代表値であり、性能を保証する値ではありません。性能向上の目的により、予告なしに変更することがあります。
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